集成电路IC > IPD031N06L3G
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IPD031N06L3G
制造商：Infineon
库存数量：100350
单价：￥ 时价
RoHS：是
产品详叙
| 数据表 | IPD031N06L3 G |
|---|---|
| PCN包装 | 封面胶带宽度更新2015年/ 6月17日 封面胶带宽度取消2015年/ 7月14日 |
标准包装  | 2500/包 |
| 类别 | 离散半导体产品 |
| 家庭 | 场效应晶体管——单身 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 磁带和卷轴(TR) |
| 场效应晶体管类型 | MOSFET n沟道,金属氧化物 |
| 场效应晶体管的特性 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压(vds) | 60 v |
| 电流连续排水(Id)@ 25°C | 100(Tc) |
| Rds(Max)@ Id,vg | 3.1莫姆@ 100,10 v |
| vg(th)(Max)@ Id | 2.2 vµa @ 93 |
| 门(路上)@ vg | 79数控@ 4.5 v |
| 输入电容(cis)@ Vds公司 | 13000 pf @ 30 v |
| 权力——马克思 | 167 w |
| 工作温度 | -55°~ 175°C(TJ) |
| 越来越多的类型 | 面山 |
| 包/箱 | - 252 - 3,DPak(2 + Tab),sc - 63 |
| 供应商设备包 | PG-TO252-3 |
| 在线目录 | n沟道栅场效应晶体管逻辑水平 |
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