集成电路IC > K4B4G1646Q-HYKO

  • K4B4G1646Q-HYKO
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    制造商:SAMSUNG

    库存数量:12800

    单价:¥ 时价

    RoHS:是

产品详叙

DRAM

SDRAM

· 扩展的运行温度范围

· JEDEC-兼容

· 易于实施

DDR SDRAM

· 扩展的运行温度范围

· JEDEC-兼容

DDR2 SDRAM

· 支持大型内存子系统

· 低电压、节能选项

· 扩展的运行温度范围

DDR3 SDRAM

· 支持大型内存子系统

· 增加能源利用率

· 高性能

· 增加带宽

 

移动LPDRAM

· 低待机电流和低自刷新可以延长电池使用时间

· 温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新(PASR)模式

 

NAND FLASH

单层单元(SLCNAND

· 高达100,000 P/E的循环耐性

· 在各种NAND技术【多层单元(SLC),三层单元(TLC)】中***快的吞吐量

· 与ONFI同步接口兼容

多层单元(MLCNAND

· 高性能和高耐性,纠错码(ECC)复杂度较低

· 密度为单层单元(SLC)NAND的两倍,每比特的造价较低

· 与ONFI同步接口兼容

NOR FLASH

并行NOR闪存

· 行业标准密度

· 整个产品系列拥有广泛的性能可供选择

· 完整的产品电压范围

 

串行NOR闪存

· 市场上***广泛的SPI NOR组合

· 完整的产品电压范围

· 行业标准封装

· 扩展的温度范围


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